Chip a 10 nanometri, Samsung avvia la produzione

Dopo aver annunciato il primo processore a 14 nanometri per i dispositivi indossabili, Samsung ha oggi stabilito un altro record con l’avvio della produzione di massa del primo SoC realizzato con tecnologia FinFET a 10 nanometri. Il produttore coreano ha quindi anticipato altri chipmaker, tra cui Intel e TSMC.

Nel mese di gennaio 2015, Samsung aveva già raggiunto un simile traguardo con il primo processore mobile a 14 nanometri (il famoso Exynos 7420 dei Galaxy S6/Se edge). Con il primo chip a 10 nanometri, l’azienda coreana conferma la sua leadership nel settore dei semiconduttori. Intel invece ha incontrato alcune difficoltà che hanno consigliato al produttore statunitense di sviluppare una terza architettura a 14 nanometri (Kaby Lake). Le due soluzioni non sono tuttavia paragonabili, in quanto i processori Intel sono più complessi.

Il nuovo processo produttivo di Samsung, denominato 10LPE, prevede l’impiego di transistor 3D con diversi miglioramenti rispetto alla precedente tecnologia a 14 nanometri. Grazie all’uso di tecniche avanzate, come la litografia triple-patterning, i SoC a 10 nanometri offrono prestazioni superiori del 27% e consumi inferiori del 40%. Con la seconda generazione del processo (10LPP), la cui produzione di massa inizierà nella seconda metà del 2017, è previsto un ulteriore incremento della performance.

Exynos 8895 e Snapdragon 830 dovrebbero essere i primi chip a 10 nanometri che arriveranno sul mercato all’inizio del 2017. Quasi certamente i due SoC verranno integrati nel Galaxy S8 che Samsung annuncerà al Mobile World Congress di Barcellona.