Chip eUFS da 512 GB, Samsung avvia la produzione

Samsung ha comunicato l’avvio della produzione di massa delle prime memorie flash eUFS da 512 GB basate sui chip V-NAND a 64 layer da 512 Gb. Questa nuova soluzione permetterà di incrementare la capacità di storage e fornirà prestazioni elevate per i futuri smartphone. Considerata la tempistica dell’annuncio ci sono buone probabilità di trovare la memoria flash da 512 GB nei futuri Galaxy S9/S9+ e Note 9.

Gli attuali top di gamma del produttore coreano, ovvero Galaxy S8/S8+ e Note 8 integrano, rispettivamente, 64 e 64/128/256 GB. I Galaxy S9/S9+ potrebbero essere i primi dispositivi Samsung con 512 GB di storage. Una capacità così elevata eviterebbe l’uso delle microSD che offrono prestazioni decisamente più basse. Lo slot, reintrodotto con il Galaxy S7, dovrebbe tuttavia rimanere anche nei prossimi modelli della serie.

La memoria eUFS (embedded Universal Flash Storage) da 512 GB raggiunge velocità di lettura e scrittura sequenziale di 860 MB/s e 255 Mb/s, rispettivamente, quindi si potrebbe trasferire un file da 5 GB in appena sei secondi. Per quanto riguarda le operazioni casuali, il chip raggiunge 42.000 IOPS in lettura e 40.000 in scrittura. In 512 GB di storage è possibile conservare 130 video a risoluzione 4K con durata di 10 minuti.

Samsung ha migliorato la tecnologia di gestione dei consumi e incrementato la velocità del controller che si occupa della conversione degli indirizzi logici in blocchi fisici. Oltre ad avviare la produzione delle nuove memorie da 512 GB, il produttore ha aumentato quella delle memorie da 256 GB.