Samsung Galaxy S10: Snapdragon 855 e modem X24?

Samsung deve ancora annunciare il Galaxy S9, ma già iniziano a circolare indiscrezioni sul modello successivo. Il Galaxy S10 (Galaxy X), atteso nel primo trimestre 2019, dovrebbe integrare il processore Snapdragon 855 realizzato con tecnologia FinFET a 7 nanometri, la stessa utilizzata per il modem X24 LTE che Qualcomm ha svelato due giorni fa.

Le ipotesi che lo Snapdragon 855 sia il prossimo SoC di fascia alta del chipmaker californiano e che possa essere utilizzato per il Galaxy S10 derivano da un annuncio di Qualcomm e dal profilo LinkedIn di un dipendente. Il produttore ha recentemente ufficializzato il modem Snapdragon X24 LTE, il primo al mondo realizzato a 7 nanometri e il primo a raggiungere una velocità di download pari a 2 Gbps (Cat. 20), grazie alla possibilità di sfruttare un massimo di 20 stream LTE concorrenti. Un dipendente ha confermato su LinkedIn di essere impegnato nello sviluppo e nel debugging dello Snapdragon 855, anch’esso prodotto con tecnologia FinFET a 7 nanometri.

Lo Snapdragon 845, che sarà presente nel Galaxy S9, viene realizzato da Samsung con processo a 10 nanometri. L’azienda coreana ha posticipato l’avvio della produzione a 7 nanometri, quindi Qualcomm ha affidato la produzione del futuro SoC a TSMC. Lo Snapdragon 855 dovrebbe quindi integrare il modem X24 LTE e forse una NPU (Neural Processing Unit) per l’elaborazione degli algoritmi di machine learning direttamente sullo smartphone. Molto probabile inoltre il supporto per memorie RAM LPDDR5 e memorie flash UFS 3.0.

Ovviamente è presto per avere qualche conferma sul processore, ma altre informazioni arriveranno sicuramente nel corso dei prossimi mesi. Le prestazioni del modem X24 LTE verranno invece mostrate da Ericsson, Netgear e Telstra al Mobile World Congress 2018 di Barcellona.