Samsung ha annunciato che la decennale collaborazione con Qualcomm proseguirà anche con i prossimi chip a 7 nanometri LPP (Low Power Plus), per i quali è previsto l’utilizzo della litografia EUV (Extreme Ultra Violet). La nuova tecnologia di processo verrà sfruttata per il modem X24 e quasi certamente per il SoC Snapdragon 855 che verrà integrato nel Galaxy S10.
Grazie alla tecnica litografica EUV, Samsung promette di “rompere” i vincoli della legge di Moore e ridurre la dimensione dei transistori fino ad un nanometro. Il processo produttivo a 7 nanometri LPP apporta notevoli benefici, in particolare la riduzione dello spazio occupato dai chip e l’incremento dell’autonomia (fino al 30%), oltre al minor numero di passi necessari per la fabbricazione e alla maggiore resa produttiva rispetto al precedente processo FinFET a 10 nanometri.
Nel comunicato di Samsung si parla unicamente dei modem 5G di Qualcomm, ma la tecnologia 7nm LPP verrà sicuramente utilizzata per lo Snapdragon 855 e il corrispondente processore Exynos che dovrebbero trovare posto nel Galaxy S10. Il produttore coreano ha annunciato inoltre la costruzione di una nuova linea EUV nella fabbrica di Hwaseong, per la quale è previsto un investimento iniziale di 6 miliardi di dollari. La produzione dovrebbe iniziare nel 2020.
Anche TSMC, principale concorrente di Samsung, ha pianificato l’avvio della produzione di chip a 7 nanometri, ma in questo caso verrà usata la meno avanzata litografia ottica. Grazie alla collaborazione con Qualcomm, Samsung avrà la “prelazione” sui primi processori Snapdragon 855.