Un dirigente Samsung ha dichiarato durante il 4G/5G Summit, organizzato da Qualcomm a Hong Kong, che i nuovi dispositivi con storage UFS 3.0 arriveranno sul mercato all’inizio del 2019. Sebbene non espressamente menzionato, il Galaxy S10 potrebbe essere il primo smartphone con questa tipologia di memoria flash.
Oggi quasi tutti gli smartphone di fascia alta integrano memoria flash di tipo UFS 2.1, mentre nei modelli più economici è presente memoria flash di tipi eMMC 5.1. I moduli UFS 3.0 saranno disponibili nelle versioni da 128, 256 e 512 GB. Per quelli da 1 TB si dovrà attendere fino al 2021. Grazie ai progressi tecnologici ottenuti nella fabbricazione dei chip 3D NAND è possibile mantenere le stesse dimensioni, aumentando la densità e quindi la capacità.
Samsung afferma che l’uso dello standard UFS 3.0 permetterà di raddoppiare la larghezza di banda della memoria da 1.000 a 2.000 MB/sec. Ma come vengono sfruttate queste prestazioni? La partecipazione di Samsung al summit sulle reti 4G/5G rappresenta un chiaro indizio. La maggiore velocità di scrittura è necessaria per non limitare la velocità di download delle reti 5G. In base alle ultime indiscrezioni, Samsung dovrebbe offrire una variante 5G del Galaxy S10, probabilmente l’unico con storage UFS 3.0.
Per gli altri Galaxy S10 (ne sono previsti tre) verrebbe utilizzata ancora la più economica memoria flash di tipo UFS 2.1. Per una adozione “mainstream” si dovrà aspettare il Galaxy Note 10 o il Galaxy S11. Nel 2020 è previsto invece l’arrivo delle prime memorie RAM LPDDR5 che offriranno una larghezza di banda pari a 51,2 GB/s e consumi ridotti del 20% rispetto alle attuali LPDDR4.