Hynix Semiconductor e Isi (Innovative Silicon) hanno da poco stretto un accordo, da 10 milioni di dollari, che permetterà di utilizzare la tecnologia Z-RAM nei futuri chip di memoria DRAM.
La tecnologia Z-RAM è stata inizialmente sviluppata con lo scopo di creare memorie integrate a bassissimo costo, destinate al settore dei chipset mobile e del networking.
Nelle memorie DRAM basate sulla tecnologia Z-RAM la cella di memoria sarà costituita da un singolo transistor, anziché una combinazione di transistor e condensatori, la stessa tecnica costruttiva utilizzata fin dalla scoperta delle memorie DRAM nel 1970.
Una cella di memoria così piccola garantirà densità di memorizzazione elevatissime, riducendo allo stesso tempo il costo di produzione dei chip.
Jeff Lewis, VP marketing della Isi, ritiene che la tecnologia Z-RAM rivoluzionerà il modo di costruire memorie DRAM, permettendo la progettazione di piattaforme di nuova generazione basate su un’architettura priva di condensatori.
Lewis ritiene, inoltre, che la posizione di forza della Hynix, azienda il cui nome compare tra i 10 più importanti costruttori di memorie al mondo, garantirà una diffusione adeguatamente veloce di memorie basate sulla nuova tecnologia.
Innovative Silicon aiuterà Hynix Semiconductor durante il processo di integrazione della tecnologia Z-RAM nei moduli di memoria DRAM, così da proporre sul mercato, in tempi relativamente brevi, soluzioni più performanti ed economiche per l’utente finale.