Come si verifica da diversi anni nel settore dei PC, ormai anche per il mercato dei dispositivi mobile è iniziata la richiesta di memoria sempre più capiente.
L’aumento della risoluzione delle immagini e dei video comporta una rapida saturazione delle RAM integrate nei dispositivi. Diversi produttori di semiconduttori iniziano quindi a realizzare chip più grandi e più veloci.
Hynyx Semiconductor ha annunciato lo sviluppo della prima DRAM mobile da 2 GB al mondo, realizzata con processo produttivo a 54 nanometri.
Questo prodotto fornisce una capacità di storage pari al doppio dell’attuale soluzione da 1 GB, garantendo un incremento della velocità operativa fino a 400 Mbps con una tensione di lavoro pari a 1,2 V.
Il chip mobile da 2 GB è in grado di elaborare fino a 1,6 Gigabyte di dati al secondo attraverso un’nterfaccia di input/output a 32 bit. Nonostante questo, i consumi energetici sono inferiori a quelli dei prodotti esistenti in commercio.
Il chip può essere impiegato per ottenere memorie SDRAM e DDR DRAM, soddisfando le diverse richieste dei consumatori. Compatibile con lo standard JEDEC, il prodotto è nato per MID, UMPC, smartphone e per tutti quei dispositivi che necessitano di un’alta densità di memorizzazione.
La produzione di massa dovrebbe iniziare entro la prima metà del 2009.