Hynix presenta nuovi moduli DDR3 certificati da Intel

Hynix, azienda impegnata nella produzione di memorie per personal computer, è pronta al lancio ufficiale di nuovi moduli di memoria DDR3 certificati da Intel e disponibili in vari modelli.

Si tratta di chip costruiti attraverso un processo produttivo a 40 nanometri e disponibili nei tagli da 1 GB e 2 GB. Le versioni previste sono 2 GB DRAM, 4 GB DDR3 SO-DIMM e 2 GB DDR3 UDIMM.

Le specifiche tecniche parlano di un voltaggio di 1,5 V, come richiesto dalle attuali direttive JEDEC, e una frequenza di funzionamento di 1.333 MHz. Secondo quanto dichiarato dal produttore, le nuove memorie avrebbero un transfer rate massimo teorico di 1.867 MHz e una larghezza di banda di 3,7 Gbps.

Rispetto alle classiche soluzioni basate su processo produttivo a 50 nanometri, i nuovi moduli Hynix permettono di ridurre le richieste energetiche di circa il 40% e di incrementare la produttività di un fattore pari a circa il 60%.

Non sono al momento circolate informazioni ufficiali riguardanti il prezzo di lancio e la disponibilità. Il produttore ha comunque avviato la produzione in volume.