I ricercatori della Northwestern University hanno realizzato transistor basati su un nuovo materiale dielettrico che ha la proprietà di resistere alle radiazioni. Per un test sul campo, lo scorso 22 Marzo, alcuni transistor sono stati applicati alla Stazione Spaziale Internazionale, dove rimarranno per un anno nel contesto di un esperimento sui materiali condotto dalla NASA.
Il dieletrico Self-Assembled NanoDielectric (SAND) dovrebbe sostituire l’attuale diossido di silicio utilizzato come isolante nella produzione di transistor impiegati nell’industria elettronica.
I transistor sono costituiti da un substrato, un gate e dal semiconduttore (silicio). Tra il gate e il semiconduttore è presente il dielettrico (diossido di silicio) che funge da isolante per impedire i corto circuiti durante il passaggio di corrente nel semiconduttore.
SAND possiede proprietà che il diossido di silicio non ha, come trasparenza, flessibilità e stampabilità, oltre a essere sottile e ad avere un alta costante dielettrica, cioè la capacità di immagazzinare le cariche per un dato campo elettrico applicato.
La NASA (che finanzia la ricerca insieme al Dipartimento della Difesa USA) è interessata a questo nuovo materiale perché durante le lunghe esposizioni alle radiazioni, il comune diossido di silicio “cattura” le radiazioni e genera cariche elettriche che distruggono i transistor.
Ovviamente i benefici derivanti dall’impiego di SAND potranno essere sfruttati anche sulla Terra, grazie alla possibilità di produrre transistor semplicemente stampandoli, come fossero giornali.
Tale tecnologia, oltre alla riduzione dei costi, consentirà di realizzare diversi dispositivi elettronici, come celle solari, display ultrapiatti, circuiti per cellulari e strumenti medicali, e tag RFID. Un’altra possibile applicazione potrebbe essere l'”elettronica trasparente” che, per esempio, permetterà di produrre parabrezza per automobili che mostreranno in tempo reale velocità, livello del carburante e altre utili informazioni.