IBM sperimenta la ricarica molecolare

Uno dei principali ostacoli che la ricerca nel campo dell’elettronica sta provando a superare è quello relativo all’autonomia dei dispositivi, soprattutto in contesti mobile. Una soluzione potrebbe giungere presto grazie a IBM: l’azienda statunitense ha infatti pubblicato un documento nel quale illustra una nuova tecnica basata su correnti ioniche al posto dei tradizionali sistemi per l’alimentazione di chip per memorie non volatili, aprendo le porte ad una nuova tecnologia in grado di ridurre i consumi energetici.

In particolare, i ricercatori di “Big Blue” hanno individuato un’importante caratteristica dell’ossido di metallo: aggiungendo o rimuovendo uno ione di ossigeno è infatti possibile passare da uno stato di conduzione ad uno di interdizione, alla stregua di quanto possibile con gli attuali transistor presenti nel campo dell’elettronica. A differenza di questi ultimi, però, la quantità di energia richiesta è sensibilmente inferiore, in quanto lo stato viene mantenuto anche in assenza di alimentazione esterna, con la possibilità di comandare con buona precisione le transizioni.

I nuovi materiali studiati da IBM, dunque, potrebbero in un futuro non troppo remoto sostituire l’ormai consolidato silicio, attuale dominatore della scena dell’elettronica ma destinato inesorabilmente ad essere sostituito da alternative maggiormente efficienti a causa dei limiti che lo caratterizzano. «Stiamo scrivendo un nuovo capitolo nel futuro del computing» ha dichiarato Stuart Parkin, ricercatore di IBM attivo in questo progetto, «per evitare che l’industria si schianti contro un muro tecnologico».

A rendere la scoperta dell’azienda statunitense particolarmente importante è proprio l’individuazione delle modalità con le quali è possibile effettuare le transizioni dallo stato di conduzione a quello di interdizione e viceversa, permettendo l’implementazione di nuove soluzioni sulla base di quella che potrebbe essere la tecnologia del domani per lo sviluppo delle memorie.