IDF 2011: Intel mostra le tecnologie del futuro

Ultimo giorno dell’IDF 2011 dedicato ai progetti del futuro. Intel è sempre impegnata nella ricerca di tecnologie che permettano di ottenere prestazioni di calcolo superiori, riducendo al minimo i consumi energetici. I risultati di questi studi sono stati mostrati sul palco da Justin Rattner, CTO del chipmaker di Santa Clara. Le due tecnologie sono il Near Threshold Voltage Processor e la Hybrid Memory Cube.

Il processore NTV dimostra come sia possibile ridurre la tensione di funzionamento, incrementando allo stesso tempo l’efficienza per ottenere il “green computing” con dispositivi sempre accesi e una maggiore autonomia delle batterie. I transistor attuali lavorano ad una tensione di circa 1 Volt. I circuiti del processore NTV (nome in codice Claremont) invece operano a circa 400-500 millivolt, un valore molto vicino alla tensione di soglia dei transistor.

Il prototipo mostrato all’IDF consuma un’energia inferiore a 10 milliwatt e rappresenta il punto di partenza per creare dispositivi “always on” e “zero power”, in cui i consumi sono talmente bassi da richiedere solo una cella solare per l’alimentazione.

Hybrid Memory Cube è invece la più veloce ed efficiente DRAM mai progettata. Realizzata in collaborazione con Micron, questo nuovo tipo di memoria permette di ottenere una larghezza di banda di 128 GB/s e consumi sette volte inferiori alle memorie attuali con una tensione di 1,2 Volt. Le DDR3 a 1.333 MHz funzionano a 1,5 Volt e hanno una larghezza di banda di soli 10,7 GB/s.

La Hybrid Memory Cube è costituita da “cubi” ottenuti assemblando più chip in modo da formare una pila. I cubi sono collegati tra loro mediante una nuova interfaccia ad alta efficienza che riduce drasticamente i consumi, garantendo una velocità di trasferimento di un trilione di bit al secondo. Questa tecnologia troverà posto in diversi prodotti, tra cui server, ultrabook, tablet, smartphone e televisori.