Memorie NAND Flash 5 volte più veloci

Ritenendo che le memorie NAND Flash attualmente in commercio non sono abbastanza veloci, Intel e Micron hanno recentemente annunciato lo sviluppo di una nuova generazione di chip NAND Flash, in grado di moltiplicare 5 volte le prestazioni che si possono raggiungere con la tecnologia a disposizione.

La nuova tecnologia dovrebbe essere in grado di raggiungere una velocità di lettura di 200MB/sec e una velocità di scrittura di 100MB/sec, valori esattamente 5 volte più alti dei 40MB/sec in lettura e 20MB/sec in scrittura ottenibili con le attuali memorie NAND Flash SLC (Single Level Cell).

L’incremento prestazionale è in parte dovuto al nuovo standard ONFI 2.0 che, stando a quanto dichiarato dal NAND Flash Interface Working Group, permette di ridurre il tempo necessario a spostare i dati da e verso il buffer della memoria.

Queste specifiche, combinate con una nuova architettura costruttiva e frequenze di clock più elevate, permetteranno a Micron e Intel di produrre i chip NAND Flash più veloci al mondo, portando le memorie non volatili su un nuovo livello.

We are working with an ecosystem of key enablers and partners to build and optimize corresponding system technologies that take advantage of its improved performance capabilities. Micron is committed to NAND innovation and designing new features into the technology that create a powerful data storage solution for today’s most popular consumer electronic and computing devices.

Sono queste le parole di Frankie Roohparvar, VP del reparto sviluppo memorie NAND di Micron.

Purtroppo, nessuna delle due società coinvolte nel progetto ha rilasciato dichiarazioni riguardanti i tempi previsti per l’introduzione sul mercato delle nuove memorie NAND Flash, che equipaggeranno drive SSD e prodotti di elettronica di consumo.