Processori Intel a 1,4 nanometri nel 2029?

Intel ha avuto molte difficoltà nel passaggio dai 14 ai 10 nanometri, ma ora sembra che i problemi siano stati risolti. ASML, partner di Intel e maggior fornitore mondiale di macchinari per la fotolitografia, ha svelato la roadmap basata su quella mostrata dal chipmaker di Santa Clara. Se tutto proseguirà secondo i piani, nel 2029 verranno realizzati i primi processori a 1,4 nanometri.

La slide originale di Intel non riporta la tecnologia di processo (nodo) prevista dal 2021 al 2029, a differenza di quella mostrata da ASML durante la conferenza IEDM (IEEE International Electron Devices Meeting). Attualmente viene utilizzato il nodo 10+ (miglioramento dell’architettura a 10 nanometri) per i processori Ice Lake. Il processo produttivo originale è stato usato per Cannon Lake, ma solo in maniera limitata (l’unica CPU è il Core i3-8121U). Ricordiamo che Intel ha sostituito nel 2016 il famoso modello a due fasi Tick-Tock con il modello a tre fasi PAO (Process-Architetture-Optimization) che prevede un “die-shrink” seguito da una nuova architettura e dalla successiva ottimizzazione. Queste ultime due fasi sono indicate con + e ++.

Per ogni tecnologia di processo sono previste le versioni + e ++. L’unica eccezione sono i 10 nanometri, in quanto c’è già il nodo 10+ (Ice Lake). Seguiranno poi il nodo 10++ (Tiger Lake) nel 2020 e 10+++ (nome sconosciuto) nel 2021. Le versioni + sono previste negli anni pari, mentre i nuovi nodi arriveranno negli anni dispari: 7 nanometri (2021), 5 nanometri (2023), 3 nanometri (2025), 2 nanometri (2027) e 1,4 nanometri (2029). Quest’ultima dimensione corrisponde a 12 atomi di silicio.

Nelle slide si può leggere il termine “Backport opportunity” in corrispondenza di ogni nodo. Intel ha previsto una soluzione di emergenza. In pratica, se per qualche motivo non sarà possibile rispettare la roadmap, verrà utilizzato il design precedente, ad esempio 7++ per i processori a 5 nanometri. Per quanto riguarda le tecnologie di processo a partire dal 2023 è previsto l’utilizzo di nuovi materiali, nuove macchine EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) e nuovi design per i transistor (gate-all-around).