Samsung ha comunicato di aver avviato la produzione di massa dei chip DRAM da 12 GB. Questo tipo di memoria con capacità e prestazioni elevate può essere sfruttato per le funzionalità offerte dai moderni smartphone di fascia alta. Specifiche versioni del Galaxy S10+ hanno 12 GB di RAM, ma sono stati usati chip differenti, essendo già sul mercato.
Il produttore coreano sottolinea che il chip DRAM è il primo da 12 GB di tipo LPDDR4X (Low-Power Double Data Rate 4X) a 4.266 Mb/s. La capacità di 12 GB è stata ottenuta combinando sei chip da 12 Gb realizzati con tecnologia di processo 1y-nm (classe 10 nanometri) in un singolo package. Ciò ha permesso di ridurre lo spazio occupato all’interno dello smartphone. Lo spesso del package è infatti solo 1,1 millimetri. Il chip offre una velocità di trasferimento dati di 34,1 GB/s e minori consumi rispetto alla memoria LPDDR4 realizzata a 20 nanometri.
Samsung afferma nel comunicato stampa che il chip DRAM da 12 GB è indirizzato agli smartphone con un numero elevato di fotocamere e connettività 5G. Gli utenti possono sfruttare i 12 GB per il multitasking, per i giochi e per la visualizzazione dei contenuti su schermi ad altissima risoluzione. Una simile capacità permette di eseguire agevolmente operazioni complesse, come la registrazione video 4K HDR con stabilizzazione delle immagini.
Come detto, per il Galaxy S10+ non è stata utilizzata questa tipologia di RAM, quindi è probabile che i 12 GB di memoria LPDDR4X troveranno posto nel Galaxy S10 5G, forse insieme a 256 o 512 GB di storage eUFS 3.0. Samsung ha pianificato un incremento di produzione per i chip da 12 e 8 GB, in quanto è prevista una grande domanda nel secondo semestre 2019.