Samsung: chip di memoria da 64 Gbit e 32 nanometri

Samsung Electronics ha recentemente annunciato lo sviluppo di un chip di memoria NAND Flash Multi-Level Cell (MLC) caratterizzato da un processo produttivo a 32 nanometri.

La realizzazione di un chip MLC da 64 Gigabit mette in evidenza la rapidità di sviluppo di questo tipo di memorie: nel 2001 venivano infatti prodotti chip di memoria da 1 Gigabit utilizzando un processo produttivo a 100 nanometri.

Per ovviare ai problemi derivanti dall’utilizzo di un processo produttivo inferiore ai 45 nanometri, Samsung ha realizzato i nuovi chip di memoria flash utilizzando una tecnologia indicata come “self-aligned double pattering technology” (SaDPT).

Grazie a questa tecnologia è stato possibile utilizzare per la produzione i macchinari attuali, risparmiando molto sui costi di un’eventuale aggiornamento della linea produttiva.

Utilizzando le stesse tecniche produttive, Samsung è stata in grado di realizzare anche un chip Single-Level Cell (SLC) a 32 nanometri con densità pari a 32 Gigabit.

Pare che la produzione su larga scala di questi rivoluzionari chip di memoria NAND prenderà il via durante un non meglio precisato periodo del prossimo anno. Secondo gli esperti, la vendita di queste memorie potrebbe raggiungere un volume di affari di 20 miliardi di dollari nei primi 3 anni successivi alla commercializzazione.