Samsung è uno dei maggiori produttori mondiali di memorie, oltre che di smartphone e TV. Da circa un anno ha avviato lo sviluppo dei nuovi chip DRAM e ora ha annunciato l’avvio della produzione di massa della memoria LPDDR5 da 12 Gb. Possibile quindi l’integrazione di questa tipologia di RAM nella serie Galaxy Note 10 attesa per il 7 agosto.
I chip DRAM da 12 Gb sono realizzati con tecnologia di processo a 10 nanometri. Combinando 8 chip si ottengono 12 GB di RAM LPDDR5. Nel comunicato ufficiale viene specificato che la tecnologia è stata ottimizzata per le funzionalità IA e 5G dei futuri smartphone, i primi dei quali potrebbero essere proprio i Galaxy Note 10/10+. Il passaggio dalle LPDDR4X alle LPDDR5 offre diversi vantaggi in termini di capacità, prestazioni e consumi che permettono di sfruttare al meglio le reti di nuova generazione e le tecnologie più avanzate, come l’intelligenza artificiale.
Le DRAM LPDDR5 raggiungono una data rate di 5.500 Mbps contro i 4.266 Mbps delle LPDDR4X con un incremento di circa 1,3 volte. A titolo di esempio, con 12 GB di RAM LPDDR5 è possibile trasferire 44 GB di dati, pari a circa 12 film a risoluzione full HD (3,7 GB), in appena un secondo. Samsung ha modificato il design dei circuiti in modo da ridurre i consumi del 30% rispetto alla precedente generazione.
Ovviamente le reali prestazioni dovranno essere verificate sul campo durante l’uso quotidiano, ma sicuramente si noteranno miglioramenti rispetto alle memorie LPDDR4X. La produzione dei chip verrà trasferita nel campus di Pyeongtaek (Corea) per una migliore flessibilità. Ciò avverrà nel 2020, quando inizierà anche la produzione dei chip da 16 Gb. Né lo Snapdragon 855 né l’Exynos 9820 supportano memorie LPDDR5. Se utilizzate nella serie Galaxy Note 10 verranno probabilmente affiancate al nuovo Exynos 9825.