Samsung svela una nuova memoria flash super veloce

Samsung ha annunciato l’avvio della produzione di massa dei chip di memoria V-NAND di quinta generazione che verranno utilizzati nei futuri SSD, nei server e anche negli smartphone di fascia alta. Non è da escludere quindi la presenza di questi chip nel Galaxy S10 che verrà presentato all’inizio del 2019.

I chip V-NAND di quinta generazione da 256 Gb è la prima al mondo con interfaccia Toggle DDR 4.0. Il produttore coreano ha effettuato diverse modifiche architetturali che hanno permesso di incrementare le prestazioni e l’efficienza energetica. La nuova memoria è formata da oltre 90 layer di celle 3D CTF (Charge Trap Flash) organizzate secondo una struttura piramidale con canali microscopici che attraversano verticalmente gli strati. Questi “channel holes" sono larghi poche centinaia di nanometri e contengono oltre 85 miliardi di celle CTF, ognuna delle quali memorizza tre bit di dati.

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Nonostante l’aumento del numero di celle, l’efficienza è rimasta invariata rispetto alla precedente generazione a 64 layer, in quanto la tensione operativa è stata ridotta da 1,8 a 1,2 Volt. Le prestazioni sono invece aumentate del 40%, raggiungendo una velocità di trasmissione pari a 1,4 Gbps. La velocità di scrittura è 500 microsecondi, il 30% in meno rispetto alle V-NAND di quarta generazione. Grazie al processo di deposizione a livello atomico, la resa produttiva è aumentata del 30%.

Samsung ha già pianificato il lancio di un nuovo chip V-NAND da 1 Tb di tipo QLC (quattro bit per cella). Ciò conferma la leadership indiscussa del produttore coreano nel settore dello storage.