Samsung: memorie NAND MLC da 51nanometri

A pochi giorni dall’annuncio di Samsung riguardo l’adozione della tecnologia trough-silicon-via, per la produzione di chip tridimensionali, il colosso coreano ha reso nota la disponibilità per la produzione di massa di nuovi chip di memoria NAND.

Si tratta di chip di memoria costruiti con processo produttivo a 51 nanometri utilizzando la struttura MLC (Multi Level Cell), aventi una capacità di 16Gbit, che garantiscono un salto prestazionale rispetto alla precedente generazione MLC davvero notevole.

Le velocità di lettura e scrittura dei nuovi chip si attestano rispettivamente a 30MB/sec e 8MB/sec, mentre quelle dei più datati chip a 60 nanometri non superano i 17MB/sec e i 4,4MB/sec.

Tramite l’utilizzo di tali chip, Samsung sarà in grado di costruire package ad alte prestazioni destinati a lettori mp3, camere digitali e cellulari, con capacità che possono raggiungere i 16 Gigabyte.

A corredo dei chip NAND MLC da 51nm, Samsung renderà disponibile una suite di software in grado di sfruttare “pagine” da 4KB anziché 2KB e di beneficiare di un ECC (Error Correcting Code) da 4 bit.

I moduli di memoria saranno disponibili sul mercato mainstream entro la fine dell’anno.