Samsung, presto le SSD V-NAND di 6a generazione

Samsung ha svelato l’avvio della produzione degli SSD di sesta generazione, che superano, per quantità di memoria e layer di utilizzo, la famiglia attuale degli SSD V-NAND. Sfruttando le migliorie nella realizzazione delle celle in 3D, Samsung ha affermato di aver dato inizio alla serie di SSD SATA da 250 GB che contengono più di 100 layer in un singolo stack V-NAND, grazie all’uso della sesta generazione della tecnologia a 256 gigabit.

Secondo quanto comunicato dall’azienda:

Utilizzando l’esclusiva tecnologia di incisione a foro per canale di Samsung, la nuova V-NAND aggiunge circa il 40% in più di celle alla precedente struttura a pila singola a 9 strati. Ciò si ottiene costruendo una pila di stampi elettricamente conduttiva composta da 136 strati, quindi perforando verticalmente i fori cilindrici dall’alto verso il basso e creando celle di trappola di carica (CTF) 3D uniformi.

Di conseguenza, i nuovi SSD offriranno velocità di scrittura di 450 ms e tempi di risposta in lettura di 45 ms, grazie a un design del circuito ottimizzato per la velocità, che apparentemente supera le vulnerabilità nella lettura di latenze ed errori, che le unità NAND possono affrontare di sovente, anche a causa di uno stacco in ciascuna area di altezza maggiore.

Con questa tecnologia, Samsung dice di poter impilare tre stack correnti per creare SSD V-NAND con oltre 300 layer.

Portando l’avanzata tecnologia di memoria 3D alla produzione in serie, siamo in grado di introdurre formazioni di memoria tempestive che aumentano in modo significativo la velocità e l’efficienza energetica – ha spiegato Kye Hyun Kyung, vice presidente esecutivo di Solution Product & Development presso Samsung Electronics – con cicli di sviluppo più rapidi per i prodotti V-NAND di prossima generazione, prevediamo di espandere rapidamente i mercati per le nostre soluzioni basate su V-NAND da 512 Gb ad alta velocità e capacità.

Con questo in mente, l’SSD V-NAND da 250 GB con la tecnologia di sesta generazione sarà il primo prodotto del genere che potranno sfruttare i produttori di hardware, prima che, entro la fine del 2019, Samsung introduca la SSD V-NAND a tre bit da 512 GB su base eUFS. Quindi aspettiamoci SSD più veloci e con più spazio, da qui a dicembre.