Samsung annuncia la prima DRAM a 10 nanometri

Samsung ha annunciato l’avvio della produzione di massa delle prime memorie DRAM a 10 nanometri. L’azienda coreana ha realizzato chip DDR4 da 8 Gbit, utilizzando la litografia ad immersione ArF (Argon Fluoride), invece della più diffusa litografia EUV (Extreme Ultra Violet). Si tratta di un traguardo molto importante per l’industria, dopo quello del 2014, quando Samsung avviò per prima la produzione di chip da 4 Gb DDR3 DRAM a 20 nanometri.

Per l’esattezza, il produttore coreano ha usano una tecnologia di classe 10 nanometri che include chip con dimensioni comprese tra 10 e 19 nanometri. Questo risultato consente di incrementare fino al 30% la resa produttiva (numero di chip funzionanti per ogni wafer di silicio) rispetto alle precedente classe 20 nanometri (20-29 nanometri). Le nuove DDR4 offrono inoltre velocità di trasferimento di 3.200 Mbps e consumano fino al 20% in meno rispetto alle DRAM realizzate con tecnologia di processo a 20 nanometri.

Samsung spiega che, a differenza della memoria flash NAND, in cui ogni cella ha un solo transistor, le celle DRAM richiedono la presenza di un transistor e di un condensatore. Nel caso della DDR4 a 10 nanometri, il condensatore cilindrico deve essere impilato su transistor larghi pochi nanometri, in modo da creare oltre 8 miliardi di celle.

Per produrre DDR4 DRAM così piccole è stata impiegata una soluzione proprietaria che prevede l’uso della litografia quadruple patterning e una tecnologia di deposizione del dielettrico che ha permesso di applicare uno strato spesso pochi angstrom sui condensatori delle celle. I chip da 8 Gbit verranno usati per ottenere memorie con capacità fino a 128 GB per smartphone, notebook e computer.