Samsung avvia la produzione della memoria HBM2

Samsung ha comunicato l’avvio delle produzione di massa del primo package DRAM da 4 GB, basato sulla seconda generazione dell’interfaccia HBM (High Bandwidth Memory), che verrà utilizzato nei sistemi HPC, nei server enterprise e nelle future schede video di fascia alta. Questa tipologia di memoria offre prestazioni nettamente superiori alle memorie DDR4 e GDDR5, consentendo l’esecuzione di task molto pesanti, come calcolo parallelo, rendering grafico e machine learning.

Il modulo DRAM HBM2 da 4 GB è stato realizzato con processo produttivo a 20 nanometri, impilando uno sull’altro quattro die da 8 Gb, connessi verticalmente da migliaia di fori TSV (Through Silicon Via), che permettono di incrementare notevolmente la velocità di trasmissione dei dati. Il nuovo package HBM2 possiede una larghezza di banda di 256 GB/s, il doppio rispetto alla precedente HBM1 usata nelle GPU AMD Fiji. La memoria di Samsung è inoltre sette volte più veloce della GDDR5, rispetto alla quale offre anche una maggiore efficienza energetica.

Il produttore coreano ha pianificato l’avvio della produzione di package DRAM HBM2 da 8 GB entro la fine dell’anno. I progettisti di schede video potranno quindi ridurre lo spazio occupato sul circuito stampato fino al 95% rispetto all’attuale DRAM GDDR5. Ciò permetterà agli utenti di installare le schede più potenti anche in sistemi compatti.