Samsung avvia la produzione delle nuove DDR4

Samsung ha annunciato l’avvio della produzione di massa delle memorie DRAM DDR4 di seconda generazione. I chip da 8 Gb sono realizzati con tecnologia di processo a 10 nanometri, come quelli di prima generazione annunciati circa un anno fa. Il produttore coreano ha tuttavia ottenuto miglioramenti in termini di resa produttiva e prestazioni.

I chip DRAM DDR4 sono ottenuti utilizzando la litografia ad immersione ArF (Argon Flouride), quindi senza fare ricorso alla costosa litografia EUV (Extreme Ultra Violet). Le innovazioni introdotte rispetto alla prima generazione hanno permesso di incrementare il livello di integrazione e la resa produttiva. Grazie allo schema “air spacer” è stato inoltre ridotto drasticamente il valore della capacità parassita dovuta alla vicinanze delle celle. Samsung ha stimato un aumento della produttività pari al 30% rispetto alle DRAM DDR4 di prima generazione.

Il design proprietario ha consentito di ottenere un incremento delle prestazioni e dell’efficienza energetica, rispettivamente pari al 10% e al 15%. I nuovi chip DDR4 da 8 Gb possono operare ad una velocità massima di 3.600 Mbps per pin contro i 3.200 Mbps dei chip di prima generazione. Dopo aver validato i moduli con l’aiuto dei produttori di CPU, Samsung lavorerà insieme ai suoi clienti per offrire nuove soluzioni in futuro.

Oltre alla produzione delle nuove memorie DDR4, il produttore coreano ha già pianificato lo sviluppo della prossima generazione di chip DRAM, tra cui DDR5, HBM3, LPDDR5 e GDDR6 che verranno utilizzati in supercomputer, server, sistemi HPC, dispositivi mobile e schede video di fascia alta.