Non c’è nessun errore nel titolo dell’articolo: Samsung ha sottoscritto un accordo con Qualcomm per la realizzazione del chip Snapdragon 820. L’azienda coreana ha comunicato l’avvio della produzione di massa dei processori basati sul processo FinFET LPP (Low-Power Plus) a 14 nanometri, utilizzato per il suo Exynos 8890 e anche per il SoC “concorrente”. Finora Qualcomm aveva usato le fonderie di TSMC per gli Snapdragon di fascia alta.
La tecnologia FinFET a 14 nanometri è stata impiegata per la produzione del processore Exynos 7 Octa (Exynos 7420), annunciato nel primo trimestre 2015 e integrato nel Galaxy S6. La seconda generazione del processo produttivo permetterà di incrementare le prestazioni e l’efficienza energetica del chip Exynos 8 Octa (Exynos 8890). Nonostante Samsung abbia scartato lo Snapdragon 810 a causa dei suoi noti problemi di surriscaldamento, Qualcomm ha deciso di affidare al gigante coreano la produzione dello Snapdragon 820. Secondo gli analisti, l’accordo porterà nelle casse di Samsung circa 1 miliardo di dollari.
La tecnologia FinFET a 14 nanometri prevede l’uso di una struttura tridimensionale per i transistor. Il processo LPP (Low-Power Plus) garantisce un incremento fino al 15% delle prestazioni e una riduzione fino al 15% dei consumi rispetto al precedente processo LPE (Low-Power Early). In base alle indiscrezioni riportate a dicembre 2015, l’accordo con Qualcomm prevede l’uso esclusivo dello Snapdragon 820 da parte di Samsung, almeno fino ad aprile.
Anche se il produttore coreano non ha rilasciato nessuna comunicazione ufficiale, lo Snapdragon 820 verrà probabilmente integrato nel Galaxy S7. Per il nuovo smartphone top di gamma, che sarà annunciato al Mobile World Congress di Barcellona, verrà usato anche il chip Exynos 8890.