Samsung, nuova RAM superveloce

Samsung ha annunciato di aver completato lo sviluppo di un nuovo tipo di memoria SDRAM a basso consumo destinata al mercato dei dispositivi mobile. Il chip di memoria LPDDR3 da 4 Gb, realizzato con processo produttivo a 30 nanometri, verrà integrato negli smartphone e nei tablet che arriveranno sul mercato nel corso dei prossimi mesi.

Tutti i prodotti attualmente in commercio utilizzano una memoria di tipo LPDDR2, che offre una velocità massima di trasmissione dati pari a 800 Mbps. Dato che il bus è ampio 32 bit, il transfer rate per l’intero chip è di 3,2 GB/s. Con la LPDDR3, Samsung è riuscita a raddoppiare questo valore, portandolo a 6,4 GB/s, senza aumentare la tensione di alimentazione (1,2 Volt). Nonostante ciò, i consumi del chip sono stati ridotti del 20%.

La dimensione del chip da 4 Gb è di 82 mmq. Unendo due chip da 4 Gb è possibile ottenere un singolo package da 1 GB con una velocità di trasmissione dati pari a 12,8 GB/s. La LPDDR3 è stata progettata per supportare veloci processori, display ad alta risoluzione, giochi 3D e video in alta definizione, caratteristiche che saranno presenti nei prossimi smartphone e tablet di fascia alta. Ecco dunque la necessità di una memoria più veloce, con una densità maggiore e, allo stesso tempo, con bassi consumi che non incidono negativamente sulla durata della batteria.

A partire dal prossimo trimestre, Samsung inizierà la distribuzione dei chip LPDDR3 da 4 Gb ai principali produttori mondiali di dispositivi mobile. L’arrivo sul mercato de primi smartphone e tablet con memoria DDR3 da 1 e 2 GB è previsto nel corso del 2013.