Samsung è pronta per i device con 4 GB di RAM

Samsung ha annunciato l’avvio della produzione di massa dei chip di memoria LPDDR4 da 8 Gbit, realizzati con tecnologia di processo a 20 nanometri. L’azienda coreana anticipa quindi i suoi concorrenti, aprendo le porte all’era dei 4 GB di RAM per i dispositivi mobile. Il primo prodotto Samsung con 4 GB di memoria LPDDR4 potrebbe essere il Galaxy Note 5. Il Galaxy S6, invece, dovrebbe integrare ancora 3 GB.

Samsung sottolinea che questo tipo di memoria ha una velocità superiore alla DRAM per PC e server, consumando meno energia. Un chip LPDDR4 da 8 Gbit possiede prestazioni e densità doppie rispetto ai chip LPDDR3 da 4 Gbit. Ciò consente di creare package da 4 GB. La memoria del produttore coreano ha già ricevuto il premio 2015 CES Innovation Awards nella categoria Embedded Technologies. Grazie al data rate I/O di 3.200 Mbps, la nuova memoria può supportare la registrazione e la riproduzione di video UHD, oltre allo scatto continuo di foto con risoluzione maggiore di 20 Megapixel.

I chip LPDDR4 operano ad una tensione di 1,1 Volt, consentendo una riduzione dei consumi fino al 40% rispetto agli attuali chip LPDDR3. I futuri dispositivi di fascia alta beneficeranno quindi di una maggiore autonomia. I primi SoC basati sull’architettura ARMv8-A con supporto alla memoria LPDDR4 dovrebbero essere gli Exynos 7420 a otto core. Qualcomm, principale concorrente di Samsung, ha già presentato lo Snapdragon 810, che potrebbe essere integrato in una futura variante del Galaxy Note 5.

La produzione dei primi moduli LPDDR4 da 2 e 3 GB è stata avviata da pochi giorni per rispondere alle richieste dei produttori di dispositivi mobile. I moduli da 4 GB arriveranno sul mercato all’inizio del 2015.