Pochi smartphone di fascia alta, tra cui l’iPhone 6 e il Galaxy S6, offrono 128 GB di storage. Per offrire simili capacità è necessario usare chip più costosi, che quindi vanno ad incidere sul prezzo finale. Il produttore coreano vuole però incrementare la dimensione della memoria nei terminali di fascia media. La promessa potrà essere mantenuta grazie ai nuovi chip NAND con tre bit per cella basati sullo standard eMMC 5.0. Questa tecnologia consentirà di portare i 128 GB su smartphone e tablet indirizzati al mercato di massa.
Samsung aveva già dimostrato il suo know-how nella produzione di chip LPDDR4 da 8 Gbit che consentirà di integrare 4 GB di RAM nei futuri device (forse il Galaxy Note 5). Le competenze degli ingegneri coreani hanno ora permesso la realizzazione di memorie eMMC 5.0 da 128 GB. Questo standard consente di raggiungere prestazioni paragonabili a quelle degli SSD più economici, soprattutto durante le operazioni di lettura.
Per gli smartphone di fascia alta vengono solitamente impiegate memorie flash, basate sugli standard eMMC 5.1 o UFS 2.0 (il Galaxy S6 usa questo tipo di storage), che superano ampiamente i 300 MB/s e le 19.000 IOPS. Si tratta però di chip ancora troppo costosi. La soluzione ideale per i prodotti di fascia media sono le memoria eMMC 5.0. Samsung promette velocità di 260 MB/s in lettura sequenziale, 6.000 IOPS in lettura casuale e 5.000 IOPS in scrittura casuale.
Le prestazioni sono da 4 a 10 volte superiori a quelle di un tradizionale memoria esterna. La dimensione e la velocità dei chip NAND MLC eMMC 5.0 sono sufficienti per gestire video in alta definizione e il multitasking sui dispositivi più economici che verranno annunciati nei prossimi mesi.