Samsung V-NAND a 64 layer per memoria flash e SSD

Samsung ha annunciato di aver incrementato la produzione dei chip V-NAND a 64 layer da 256 Gbit per soddisfare la crescente richiesta nei settori server, PC e mobile. Il produttore coreano aveva già presentato il primo SSD basato su questo tipo di memoria a gennaio e ora è pronta ad offrire altre soluzioni di storage, come memorie flash UFS per smartphone, memory card e nuovi SSD che arriveranno sul mercato entro fine anno. L’obiettivo è coprire oltre il 50% della produzione.

La memoria V-NAND a 64 layer da 256 Gbit è di tipo TLC e può memorizzare tre bit per cella. Samsung evidenzia che si tratta della memoria flash NAND più veloce attualmente disponibile (1 Gbps) e quella con il più basso tempo di programmazione per pagina (500 microsecondi), circa quattro volte migliore rispetto ad una tradizionale memoria NAND planare a 10 nanometri e circa 1,5 volte della V-NAND a 48 layer da 256 Gbit prodotta dalla stessa Samsung. Rispetto a quest’ultima è stato ottenuto un incremento prestazionale del 30%.

Un altro importante vantaggio è l’efficienza energetica. La nuova memoria a 64 layer richiede una tensione di 2,5 Volt contro i 3,3 Volt della memoria a 48 layer. Samsung ha inoltre aumentato l’affidabilità per cella del 20%, quindi ci sono meno probabilità di errori e perdite di dati.

Samsung ha superato diversi ostacoli durante la produzione dei chip dovuti al numero elevato di “strati”. Il risultato ottenuto consentirà di realizzare memoria V-NAND con capacità fino a 1 terabit e oltre 90 layer.