I Galaxy S7 che verranno distribuiti in Cina e Stati Uniti dovrebbero integrare un processore Snapdragon 820. Secondo alcune indiscrezioni provenienti dalla Corea, Samsung avrebbe offerto il suo aiuto a Qualcomm per modificare l’architettura del SoC, in modo tale da risolvere i problemi di surriscaldamento. Il chipmaker statunitense ha tuttavia smentito questi rumor, confermando invece ulteriori ottimizzazioni sulla base delle specifiche originarie.
Lo Snapdragon 810, utilizzato da diversi produttori nei loro smartphone di fascia alta, è salito alla ribalta delle cronache a causa dei suoi “bollenti spiriti”. Quando il chip viene sfruttato al massimo della potenza, si verifica un incremento eccessivo della temperatura. La soluzione migliore per limitare il problema è attivare il thermal throttling, ovvero ridurre la frequenza di clock, il che comporta un calo delle prestazioni. Ciò ha costretto Samsung ad utilizzare il suo Exynos 7420 nei Galaxy S6.
Nonostante il nuovo processo produttivo FinFET a 14 nanometri della stessa Samsung, sembrerebbe che lo Snapdragon 820 abbia un problema simile. Qualcomm ha però subito bloccato la diffusione incontrollata dei rumor, affermando categoricamente che lo sviluppo del nuovo SoC procede senza nessun intoppo. Lo Snapdragon 820 integra una CPU Kryo con quattro core e una GPU Adreno 530, in grado di offrire prestazioni grafiche fino al 40% superiori a quelle dello Snapdragon 810 e un’efficienza energetica migliore del 40%.
Nel caso in cui le indiscrezioni dovessero corrispondere a verità, Samsung ha già l’alternativa. La produzione di massa del chip Exynos 8890 verrà avviata entro fine anno, quindi in tempo per il lancio del Galaxy S7, previsto per il mese di gennaio 2016.