SuVolta e Fujitsu, minor consumo per le SRAM

Fujitsu e SuVolta hanno mostrato qualcosa che potrebbe finalmente tagliare gli alti requisiti d’alimentazione richiesti dalle memorie SRAM. L’idea parte dal fatto che sia possibile ottenere un funzionamento ultra-low-voltage delle SRAM sotto i 0.425V utilizzando la piattaforma SuVolta PowerShrik low-Power CMOS e i semiconduttori Fujitsu a basso consumo. Secondo un comunicato stampa rilasciato dall’International Electron Devices Meeting (IEDM), in corso a Washingotn DC, la risoluzione del problema relativo al controllo del consumo di energia su attrezzature mobili è stato inseguito per secoli, insieme alla cura per il cancro o alla ricerca della materia oscura.

Il comunicato stampa asserisce che il più grande fattore di consumo energetico sia rappresentato dall’alimentazione di tensione del CMOS, costantemente ridotta a circa 1,0 V in corrispondenza della nanotecnologia da 130nm. Anche se ci sono state scoperte che hanno portato allo sviluppo di tecnologie a 28nm, la tensione è rimasta invariata ed è proprio questo uno dei maggiori ostacoli alla tensione minima di funzionamento dei blocchi di SRAM.

Grazie ai transistor Deeply Depleted Channel (DDC) di SuVolta, che fa parte della piattaforma PowerShrink,è possibile far funzionare ottimamente 576 KB di SRAM con circa 0,4 V. Le due aziende hanno raggiunto questo risultato riducendo la soglia di tensione dei transistor della metà. Non è ancora chiaro quando si vedrà applicata tale tecnologia, ma sicuramente ci si trova di fronte ad un’interessante alternativa del sistema Tri-Gate che sembrava, ad ora, l’unica via da seguire.