Tecnologia X3 per le memorie flash da SanDisk

SanDisk presenta la tecnologia X3, sviluppata in collaborazione con Toshiba, per la realizzazione di memorie flash, con particolare riferimento alle schede di memoria ad alta densità.

Alla base di questa nuova tecnologia c’è innanzitutto la novità delle celle a 3 livelli (MLC), da cui deriva la nomenclatura “X3”, e il processo produttivo a 32 nanometri.

Il nuovo processo produttivo rispetto alla passata generazione (32 vs. 43 nanometri) consente di ottenere un immediato risparmio di spazio e determina inoltre una serie di vantaggi legati all’aspetto energetico del dispositivo: circuiti integrati e interconnessioni di dimensioni inferiori richiederanno correnti di attivazione inferiori.

L’utilizzo di celle multi livello invece permette di memorizzare più bit in una sola cella, in questo caso 3, consentendo di raggiungere la capacità di 32GB nello spazio esiguo di una microSD.

È noto che i chip di memoria flash basati su celle multi livello sono in generale meno performanti in scrittura rispetto a quelli realizzati con celle a singolo livello, ma in questo caso SanDisk afferma di aver colmato questo gap grazie alla sua architettura All-Bit-Line (ABL), grazie a cui i chip in tecnologia X3 mantengono performance competitive.