Le memorie non volatili attualmente più diffuse sono le memorie flash, ma già da diversi anni molti produttori sono impegnati nella ricerca di nuove tipologie di memorie che permettano di risolvere i principali svantaggi delle memorie flash.
Tra le tecnologie in corso di sviluppo ricordiamo le MRAM (Magnetic RAM), le PRAM (Phase-Change RAM), le RRAM (Resistance RAM) e le FeRAM (Ferroelectric RAM).
Relativamente a quest’ultimo tipo di memoria, Toshiba ha annunciato la realizzazione di un chip da 128 MB con velocità di lettura/scrittura di 1,6 GB/sec.
La FeRAM di Toshiba è stata prodotta con processo produttivo a 130 nanometri, utilizzando una nuova architettura che ha permesso di aumentare la densità, ridurre le dimensioni e contenere la degradazione del segnale elettrico.
Grazie all’integrazione di un circuito che prevede le fluttuazioni della tensione di alimentazione (1,8 V) durante le operazioni di lettura/scrittura, è possibile aggiungere un’interfaccia DDR2 per sfruttare le FeRAM per scopi commerciali.
Le nuove memorie FeRAM, quindi, combinano l’elevata velocità operativa delle comuni DRAM con la capacità delle memorie flash di conservare le informazioni immagazzinate anche in assenza di corrente elettrica. Ma rispetto a queste ultime, le FeRAM hanno consumi inferiori, velocità di scrittura più elevata e un numero di cicli di scrittura/cancellazione maggiore.