Toshiba e TSMC verso i 28 nanometri nel 2010

La corsa verso la miniaturizzazione dei transistor diventa sempre più avvincente: Toshiba e TSMC hanno annunciato l’avvio della produzione di chip a 28 nanometri già dal 2010.

Prima o poi il limite fisico del silicio verrà raggiunto, ma nel frattempo continuano gli investimenti miliardari in nuove tecnologie di processo.

Toshiba, secondo produttore al mondo di memorie NAND flash dopo Samsung, cerca di uscire dal periodo negativo a causa della recessione economica, realizzando SoC (System-on-Chip) per dispositivi embedded, automotive e mobile, in collaborazione con NEC e IBM.

Secondo il chipmaker giapponese, il passaggio al processo produttivo High-K Metal Gate (HKMG) a 28 nanometri sarà veloce ed economico, permettendo di ottenere prodotti con prestazioni maggiori e consumi inferiori rispetto ai prodotti che integrano chip realizzati a 40 nanometri.

TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ha invece annunciato il completamento dello sviluppo della tecnologia produttiva a 28 nanometri che consentirà di produrre chip con gate all’ossinitrato di silicio (SiON).

I test effettuati su una SRAM da 64 GB hanno dimostrato una buona resa produttiva con una cella di memoria di 0,127 micron quadrati e densità di gate maggiore di 3900 kgate per millimetro quadrato. I transistor realizzati con tecnologia SiON hanno un consumo inferiore del 30-50% e prestazioni superiori del 25-40% rispetto ai transistor realizzati a 45 nanometri.