Il futuro dell’elettronica potrebbe essere privo di silicio. Proprio l’elemento che ne ha consentito la nascita, facilitandone l’espansione fino ai nostri giorni, potrebbe infatti in futuro non essere più indispensabile. Alcuni ricercatori della Purdue University hanno infatti messo a punto dei nuovi transistor che, oltre ad utilizzare materiali differenti dal classico silicio, presentano una struttura quadrimensionale, promettendo importanti sviluppi per il mondo tecnologico.
Alla base di tali componenti vi sono l’indio, il gallio e l’arsenio, combinati per creare una lega di nuova generazione utilizzabile anche nel settore dell’elettronica. Realizzati a forma di albero di Natale, devono la loro struttura 4D ad un collegamento verticale in parallelo di più transistor e rispetto agli attuali transistor 3D offrono una serie di vantaggi sia in termini di peso che di dissipazione del calore. Tali dispositivi potrebbero quindi trovare ampio spazio nella fabbricazione di circuiti integrati, permettendo così di assemblare notebook sempre più leggeri ed in grado di riscaldarsi il meno possibile.
Benché in rapida evoluzione, le tecnologie basate sul silicio vanno infatti in una direzione che prima o poi condurrà ad uno sbarramento difficile da superare, legato all’impossibilità di andare oltre certe dimensioni. Nasce dunque l’esigenza di trovare materiali alternativi che possano garantire miglioramenti nelle prestazioni e quello utilizzato dai ricercatori in questione sembra promettere decisamente bene in tal senso.
Trattasi insomma di componenti elettronici potenzialmente rivoluzionari, ma ancora non pronti per un esordio sul mercato. Secondo i ricercatori ai quali va attribuito il merito di tale scoperta, i transistor 4D in questione potrebbero sostituire il silicio entro dieci anni o poco più, aprendo una nuova era per il computing, ma non solo. Le potenzialità di tali componenti sono infatti enormi, così come sono numerosi i possibili campi di applicazione.