Vita media più lunga per le memorie Flash Nand

Attualmente uno dei problemi più grossi delle memorie Flash Nand è il numero limitato di cicli di lettura/scrittura che possono essere sopportati dalle celle alla base della loro architettura.

In un periodo dove spopolano dispositivi che fanno largo uso di memorie Flash è impossibile immaginare una loro vita media di pochi anni, così un gruppo di ricercatori giapponesi ha progettato delle nuove memorie capaci di offrire consistenza dei dati memorizzati per centinaia di anni.

Questi nuovi chip sarebbero realizzati con processi produttivi inferiori ai 20 nanometri e lavorerebbero a voltaggi più bassi ottenendo un duplice vantaggio: da un lato la miniaturizzazione porta a una maggiore integrazione dei circuiti con un conseguente aumento della quantità dei dati memorizzabili, dall’altro le minori richieste energetiche porterebbero a un minor consumo delle batterie dei dispositivi portatili equipaggiati con tali memorie.

Le nuove Flash Nand “ferroelectric” sviluppate da questo team di ricercatori giapponesi possono essere miniaturizzate fino a 10 nanometri e possono sopportare oltre 100 milioni di cicli di lettura e scrittura, contro i soli 10.000 delle celle di memoria attuali.

A supporto di queste evoluzioni a livello di hardware si pongono anche delle più raffinate tecnologie a livello di software, implementate con algoritmi di wear levelling, in modo da uniformare l’uso delle celle nei chip di memoria, per evitare che alcune vengano sovrasfruttate e perdano prematuramente affidabilità.